GaNデバイスを用いたLLC共振電源の高周波化検討

摘要

近年、機器の小型化や薄型化を背景に、搭載される電源に対する小型化の要求は強くなっている。電源の小型化にはスイッチング周波数の高周波化が基本となるが、これまでは使用される部品の特性等により、高周波化が困難となっていた。しかし、次世代半導体デバイスと呼ばれるSiCやGaNの普及や回路トポロジーの進化に伴い、高周波（MHz）スイッチングの可能性が見えてきている。本発表では、電源の高周波化に関して考えられる各課題に対して検討を行った内容について、報告する。また、検討内容を基に電源試作を行ったため、その評価結果についても併せて報告する。