ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用

摘要

窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ (HBT)は，高出力電子デバイスとして期待されているが，今までに報告されたNpn型窒化物半導体HBTには二つの大きな問題点があった．一つは電流利得が低い点であり，もう一つはエミッタ接地電流-電圧（I-V）特性におけるオフセット電圧が高い点である．我々は，従来のp型GaNに比べて抵抗が低いp型InGaNをHBTのベース層に用いるとともに，外部ベース層の結晶再成長を行うことにより，これらの二つの問題点を克服した．そして，窒化物半導体HBTの特徴である高出力動作を実証したので報告する．