Si/Si，Si/CuのAr高速原子ビームによる表面活性化常温封止接合

摘要

従来の封止技術は高温加熱プロセスを伴うため，適用範囲が限定され，真空封止ではガス放出の問題もある．Arの高遠原子ビームを用いた表面活性化法による接合法は常温で強固な接合が可能であるため，上記の問題を解決できる可能性がある．本研究ではこの手法をSi/Si，Si/Cuの封止接合に適用し，その特性を調査することを目的とする．具体的には封止構造とリーク率の関係や封止されたマイクロキャビティの内部圧力の調査を行った，その結果，封止枠の線幅を10μmとした構造に対しても封止接合部は10~（-12）Pa m~3/s以下のリーク率を有することや，封止部材料がSi/Si場合では封止キャビティ内部の圧力は1500時間後で3Pa以下，Si/Cuでは25Pa以下とすることが可能であることが分かった．また，内部圧力は表面活性化条件や材料に依存することが確認されたため，その最適化を行うことにより，封止特性が向上する可能性があることが分かった．