III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析

摘要

GaInAs/InP、GaInP/GaAsの様なヘテロ接合構造は、作製の際にIII族、V族両方の原料切替えが必要であり、設計通りの層構造作製が容易でないことが知られている。 本研究では、三元系混晶GaInAs、GaInPの層厚がある値より薄くなった時、一般に制御が難しいと考えられるV族組成分布のみならずIII族組成分布の変化も無視できず、設計値とは全く異なる層ができることをX線CTR(crystal truncation rod)散乱法により示す。 さらに、薄いヘテロ層でも成長温度を変化することで、組成分布の制御が可能になることを示す。