p型不純物イオン注入による4H－SiC高耐圧pn接合ダイオード

摘要

4H－SiC（0001）面への高ドーズAlイオン注入により低抵抗p型領域を形成し，Al若しくはBイオン注入によりプレーナ型pn接合ダイオードを試作，評価した．Alイオン注入では高温注入，高温アニールを行うことで，シート抵抗値の最小値として3.6kΩ／□（p型）を得た．Alイオンを高温注入することで表面p~＋層を形成し，高エネルギーBイオンを室温注入することでp層を形成したプレーナ型pn接合ダイオードでは，良好な整流性を確認した．2900Vの高耐圧（理論耐圧の90％）と8.0mΩcm~2の低いオン抵抗を得るとともに，耐圧が正の温度係数をもつアバランシ破壊特性を確認した．これまで報告のなかった4H－SiC（1120）面pn接合ダイオードを作製し，1850V（理論耐圧の70％）の高耐圧特性を得た．