InGaN半導体レーザのワット級高出力化とその応用展開

摘要

プロジェクタや車載照明などの固体光源への応用を想定し，ワット級の高い光出力が得られる青紫色半導体レーザアレイを開発した．発光領域を1mm以下に小さくしたレーザアレイの熱設計手法を独自に構築し，水冷を必要としない汎用タイプのパッケージを用いた場合でも，ケース温度25℃で光出力6.3Wの連続発振に成功した．さらに，高輝度白色光源への応用展開として光出力60Wの半導体レーザモジュールを作製し，新規に開発した高光密度励起用の蛍光体と組み合わせることで，光束約10,000ルーメンの白色光源を実現した．