プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成

摘要

熱CVD法により堆積したHfシリケイト膜に対しプラズマ酸化及びプラズマ窒化を行う、HfSiONゲート絶縁膜の形成プロセスを開発した。 プラズマを用いた内部酸化によって形成された高品質な極薄界面層によって。240 cm{sup}2/Vs (0.8MV/cm時、SiO{sub}2への85)の電子移動度と、73 cm{sup}2/Vs (0.5MV/cm時、SiONの93)の正孔移動度が達成された。 これは近い将来の低消費電力CMOSデバイスの製造において有望なプロセスとなるであろう。