差動モード伝送によるプリント基板からの放射電磁界抑制効果のモーメント法による検討

摘要

電子機器で使用される周波数が高くなるに従って，集中定数的な放射妨害波対策部品は限界が生じており，差動モード伝送によるプリント基板からの放射妨害波抑制法が検討されている．しかし，これらの検討の多くは理論解析が中心であり，実験及び理論解析の両面から高周波帯域において検討した例はない．本論文では，簡易に放射妨害波抑制効果を求めることを目的として，パラレルマイクロストリップ線路を実効比誘電率と等価ワイヤを用いてモデル化することにより，差動モード伝送と同相モード伝送より放射される電磁界をモーメント法を用いて求め，測定値と比較することにより差動モード伝送の放射抑制効果の検討をした．その結果，同相モード伝送においては，放射される電界の最大値の測定値と解析値の偏差は，100 MHz～3 GHzでは2 GHz付近を除きほぼ5 dB以内であること，また，抑制効果についても，1～3 GHzで測定値と解析値の偏差が5dB以内であることが分かった．この解析モデルを用いた検討の結果，1対のパラレルマイクロストリップ線路の間隔を5 mmから1 mmにすることにより1～3 GHzで放射抑制効果を5～10 dB改善できること，曲がりにより5 dB程度抑制効果が低下すること，1対のパラレルマイクロストリップ線路の片端からの線路長の偏差が10％になると放射抑制効果が1～3 GHzで5～20 dB低下することが分かった．