Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ（SRTMOST）のダブルバリヤ／Si界面障壁高さに関する考察: ゲート長との関係

摘要

Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ（Si resonant tunneling MOS transistor：SRTMOST）のゲート長をナノメートル範囲において小さくした場合の動作電流とゲート無印加状態での価電子帯のトンネル電流を計算した．この結果をもとに，ダブルバリヤ／Si界面の障壁高さの値を検討した．