制限反応スパッタ法によるZrO{sub}2薄膜の界面構造とゲート絶縁膜特性

摘要

金属Zrと酸素を基板上で反応させる制限反応スパッタ法によりZrO{sub}2膜を堆積し,その特性の評価を行っている。金属ターゲットを用いることで界面silicate層の減少が期待できる。 本報告では基板温度を室温～300℃,酸素流量比を3.4～10.3の間で変化させて堆積を行い,良好な高誘電率膜が得られる条件を探った。 漏れ電流特性においては基板温度を高くするに従って漏れ電流が増加する傾向にあった。 EOTの最適条件は基板温度300℃,酸素流量比4.2であった。 また,この条件で作製した膜に500℃-10secのRTA処理を行ったところ特性の向上が見られた。