IV族系薄膜トランジスタの高性能化·高機能化

摘要

銅（Cu）を利用した金属誘起結晶化（MIC）を用いて自己整合平面型ダブルゲート（DG）構造および自己整合平面型4端子（4T）構造を有する多結晶ゲルマニウム（poly-Ge）および多結晶ゲルマニウムスズ（poly-Ge_(1-x)Sn_x）薄膜トランジスタ（TFT）を形成した．さらに，塗布プラスチック上にトップゲート（TG）Cu-MIC poly-GeTFTを実現した．これらのTFTは，アルミニウム（AI）元素置換横方向金属化SD（Al-LM-SD）により，SD領域を金属化して寄生抵抗を低減している．本報告では，これらのTFTの性能について紹介する．また，4T多結晶シリコン（Poly-Si）TFTを利用したCMOSインバータについても簡単に紹介する．