化学気相堆積した窒化ホウ素炭素膜の形成条件の検討

摘要

ワイドバンドギャップエネルギーを有する炭素系化合物半導体の実現に向けて、化学気相堆積法によりグラファイト状窒化炭素へホウ素を添加し窒化ホウ素炭素（BCN）膜を作製する方法を提案した。BCN膜はメラミンとアンモニアボランを前駆体としてc面サファイア基板上に基板温度を変え作製した。X線電子分光法から炭素、窒素及びホウ素の信号が検出された。基板温度の増加により、炭素の組成は減少しホウ素の組成は増加する傾向が見られ、ホウ素が炭素と置換して添加されることが示唆された。光吸収スペクトルよりホウ素組成の増加により吸収ピークが高エネルギー側にシフトする傾向が見られた。従って、メラミンとアンモニアボランを前駆体としてBCN膜の作製に成功した。