低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術

摘要

Cu配線において、Cu表面に自己整合で金属を被覆する方法に関して、低圧条件下の化学気相成長法 (Chemical Vapor Deposition: CVD) によってタングステン (W) を自己整合で被覆する技術 (Self Aligned Metal Capping）の検討をおこなつた。 被覆形態は、Cu-CMP後にCu配線上面を被覆する場合と、ヴィア開孔後、ヴィアの底に覗いているCu表面に被覆する場合である。また、150～250℃の温度領域で発生する、ヴィア近傍のストレスマイグレーションボイド (Stress-Induced Voiding: SIV) に関して評価をおこない、メタルキャップを適用することで、いずれの被覆形態においても、SIVが著しく改善することを確認した。