InAs/AlGaSb量子細線3分岐構造における非線形電子輸送

摘要

InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する．InAs/AlGaSbヘテロ構造に3つの量子細線で構成されるT字型3分岐構造を作製し，77Kおよび300Kで左右のブランチに電圧V{sub}L，V{sub}Rを印加した時の中央のブランチの電圧V{sub}Cを測定した．その結果，中央ブランチの電圧V{sub}Cはバリスティック伝導に起因する明瞭な非線形性を示した．また，左右のブランチにV{sub}C＝-V{sub}Rの電圧を印加（プッシュプル形式）したときに，印加する電圧の極性によらずV{sub}Cは負の電圧が観測された．