貫通電極型三次元実装の低コスト化技術開発

摘要

貫通電極型三次元実装は半導体のシステム化にとって非常に有望な技術である．この技術の敢大の課題の￣つはコストである?我々は製造プロセスのコスト分析を行い，高コスト工程としてCuめっき，Ctl－CMP，裏面バンプの三つのプロセスを抽出した?そこでこれらの課題に対して生産性を改鞍するためのプロセス及び積層構造の検討を行った．Cuめっきはめっき液組成の最適化とめっき液の酸素置換によりめっき時間を1時間まで短縮した?CuトC丸4Pについては高速研磨スラリーとソフトランディング加工により厚さ9?mのCuを8．7分で研磨することができた?裏面バンプについてはこれを省略し，表面のCuバンプをCu貫通電極とSn－触を介して直接接合する構造についての評価を行った?2段階封止により低熱膨張樹脂を封止材として用いることで本格遺において温度サイクル1000サイクルまでの信頼性を確認した．以上の結果により貫通電極型三次元実装のコストを大幅に低減させることが可能な見通しを得た．