オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振

摘要

短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO_2を介してSi基板上に作製することで、活性層への強い光閉じ込めを実現し、レーザの低消費エネルギー化を図ってきた。今回、チップ間光インターコネクトに適した活性層体積のレーザを実現するため、活性層長10～20μmの短共振器構造で発振する共振器を設計し、レーザを作製した。活性層長10μmのレーザに関しては、分布ブラッグ反射鏡（DBR）構造を採用し、DBRレーザで世界最小のしきい電流0.17mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。また、活性層長20μmのレーザに関しては、位相シフトDFBレーザの両側にDBRを設けた両側分布反射型（DR）レーザを作製し、しきい値電流0.66mAで室温連続発振が得られ、単一モード動作を確認した。