90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス

摘要

High-End LSIをターゲットとした90nmノード（ゲート長60nm）部分空乏型SOI MOSFETに関して、ゲート絶縁膜形成条件や、Extension/Haloイオン注入条件、スパイクアニールによる活性化条件を最適化することにより、NMOSのI{sub}(on)＝910μA/μm、PMOSのI{sub}(on)＝320μA/μm、(I{sub}(off)＝30nA/μm、V{sub}(dd)＝1.0V with self-heating) を達成し、10年以上のHCI Life TimeをNMOS·PMOS双方に対して確認した。