高濃度 SOI 基板と転写法による TMDC FETs の作製

摘要

本研究では高濃度 silicon-on-insulator（SOI）基板とコンタクト転写法を用い、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）をチャネル層とする電界効果トランジスタ（FET）の作製と電気特性評価について報告する。高濃度にドーピングされた SOI 層をゲート電極に用い、転写法によって TMDC チャネル層を SOI 基板上に堆積した。高濃度 SOI ゲート電極上にソース／ドレイン電極を形成したオーバーラップ構造を用いることで、様々な TMDC 材料をチャネルとするFETの作製が可能であることを報告する。