零電圧スイッチング動作に基づくゲートドライバのための設計解析式の検討

摘要

低炭素社会の実現に向けて，炭化ケイ素（SiC)をはじめとするワイドバンドギャップ半導体を用いた高効率な電力変換回路が期待を集めている．従来から用いられているシリコン（Si）と比較して，SiC は絶縁破壊電界強度，飽和電子速度，熱伝導等の特性が優れていることが知ちれている．SiC を用いたパワー MOSFET は高速スイッチツグ動作が可能であるという利点から，電力変換回路のスイッチング周波数を高周波化できる．これにより，回路で用いあれるキャパシタやインダクタを小型化できるため，結果をして電力変換回路自体の小型化が望める．