InGaZnO_x／AgO_x酸化物ヘテロSchottky界面の起源とフレキシブルデバイス応用

摘要

In-Ga-Zn-O（IGZO）と酸化銀（AgO_x）の酸化物ヘテロ接合は一般的な金属一酸化物半導体接合より良好なSchottky特性を示すことが報告されているがその起源は不明な点も多く、界面物性の理解と制御はデバイス応用の観点からも重要である。本研究ではAgO_xの物性評価に加え、CrKαX線源（5415 eV）を用いた硬X線光電子分光法（HXPS）を用い、IGZO／AgO_x界面でのバンドベンディングおよび電子状態とSchottky特性との関連を評価した。AgO_x の仕事関数は成膜酸素流量の増大に伴い4.69から5.75eVに増大した。HXPSで得られたIGZO／AgO_x界面でのバンドベンディングの値はSchottky特性から抽出した障壁高さ（～0.98eV）と良く一致する結果となった。一方で、AgO_xの仕事関数増大量に比べ障壁高さ増大量は小さくフェルミレベルのピニングが示唆された。