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化合物半導体ナノ構造の作製と評価-酸化亜鉛パリスタの粒界構造と課電劣化の相関性について

机译:化合物半導体ナノ構造の作製と評価-酸化亜鉛パリスタの粒界構造と課電劣化の相関性について

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摘要

基本添加物としてBiを添加したZnOパリスタはMn,Co等の多原子価原子を添加させると,ZnO粒子の粒界における酸素イオン拡散によるキャリア分布の変化がCoおよびMnの原子価に影響を及ぼし,課電劣化の要因に相違が現れることが報告されている.極微量のAl,あるいは微量のSiを添加することによりパリスタ特性の課電劣化が改善されることが報告されている.従来ZnOバリスタへのAlやGa添加は,他の添加不純物の種類にもよるが,適量添加することによりV-I特性の非線形特性が改善されることが報告されているが,課電劣化に関する研究は行われていなかった.
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