非対称ダブル·ゲート横型トンネルFETの解析モデル

摘要

本論文では非対称Double-Gate Tunnel FET（ADG-TFET）の解析ポテンシャルモデルを報告する。チャネル領域に空乏近似、伝導方向に対して垂直方向に3次関数を仮定し、ポアソン方程式を解析的に解く事で非対称電圧印加条件におけるADG-TFETの静電ポテンシャルと電界強度分布を導出した。ソース·ドレイン方向、及び垂直方向の電界強度を導出し、両方向の電界分布を用いてKaneモデルによるチャネル内のトンネリング生成率を計算することでトンネリング電流を導出した。解析ポテンシャルモデルとトンネリング電流について商用TCADのシミュレーション結果と比較することによってモデル精度の確認を行った。