招待講演ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価

摘要

本研究では，ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスの開発を行い，ミニマルウエハ(直径12.5 mm)上に，Gate-LastとGate-FirstプロセスによるSOI-CMOSの作製に成功し，そのSOI-CMOSと1kトランジスタレベルのCMOS集積回路が正常に動作することを確認した.また，CMOS-MEMS融合デバイスとして，極薄SOIダイヤフラム上にCMOSリングオシレータを作製し，残留応力による発振周波数の変化も確認した.この結果より，ミニマルファブでCMOS論理回路及びCMOS-MEMS融合デバイス作製が可能であると言える.