AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作

摘要

出力が高く長距離伝送が可能で、かつ安定な単一モード発振が得られる光通信用光源を目的として、レーザ部と変調器部の活性層にAlGaInAs系多重量子井戸構造を適用し、レーザ部をλ/4シフトDFBとした電界吸収型変調器集積DFBレーザを開発した。 作製した素子において、53℃で+3.0dBmという高い光出力と安定な単一モード発振、及び良好な10Gb/s、100kmシングルモードファイバ伝送を実現した。