非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlO_x酸化物TFTの作製とその特性

摘要

昨年、大気圧下で汎用の試薬を用いて金属酸化物薄膜を作製する事が可能なミストCVD法を用いて、絶縁膜（AlO_x）及び活性層（IGZO）を大気圧にて成膜した酸化物TFTを形成し、電界効果移動度：μ_(lin)=4.2cm~2/（V·S）、及び、オン/オフ電流比：10~8を得た。この実験結果を踏まえ、IGZO/AlO_x界面処理、絶縁膜の低温化、活性層の特性改善に努め、電界効果移動度：μ_(lin)=7.7cm~2/（V·S）、サブスレッショルド係数：S=0.32V/dec.と、真空プロセスで作製したIGZO TFTとほぼ同等の特性を得た。これら結果は、酸化物TFTの非真空（大気圧）プロセス転換における重要な第一歩である。