InP／InGaAs新構造Avalanche photodiodeの高増倍率動作

摘要

アバランシェフオトダイオード（APD）は，一般的なフォトダイオードと比較して高い動作電圧を必要とし，信頼性を確保するため，素子内部にのみ電界を閉じ込める構造が必要である．これを実現するために，これまでにイオン注入や選択拡散など，複雑な作製工程を必要とする構造が提案されている．我々は，より簡易なプロセスでこの電界閉じ込めを実現可能な新構造のAPDを考案し，作製した素子で高い電界閉じ込め効果を確認するとともに，従来素子と比較して遜色ない特性を得た．