Si基板の微細加工による赤外域フォトニック構造の作製と評価

摘要

本研究では微細加工技術を用いて，赤外領域での選択的な波長制御が可能な二次元フォトニック結晶の作製をSi表面に試みた．その結果，約11μm付近で選択的な波長制御が可能なフォトニック結晶の作製に成功した．また，さらにHF:HNO_3:H_2Oの混合液でエッチングを行うことで最大放射率79％のその選択的な波長を得た. 金薄膜の堆積法の検討を行うことによって，最大放射率とその選択性は側面への堆積のされ方に関係していることが明らかになった．