Cat-CVD技術の現状と将来展望：気相診断からデバイス応用まで

摘要

触媒化学気相成長（Cat-CVD）法はプラズマレス大面積高速低温薄膜形成技術として知られており，ガスの利用効率が高いことから低コストかつ環境負荷の小さい技術としても注目されている．気相診断による膜堆積種の同定を行ったところ，Si薄膜ではSiH_3が主要堆積種であると同時に，気相中に多量のH原子が存在することが明らかになった．Cat-CVD法で作製したSi薄膜は薄膜太陽電池や薄膜トランジスタへの適用が期待されており，その優位性をデバイスの試作結果を通じて紹介する．SiN_x膜においては，大規模集積回路製造プロセスへの適用が期待されると同時に，プラスチックフィルムのコーティングなど低温形成バリヤ膜としての応用も図られつつある．