高分解能ラザフォード後方散乱法によるInGaN極薄膜の評価

摘要

RF-MBE法により作製したInGaN極薄膜(3nm)中のIn原子の熱拡散について、高分解能ラザフォード後方散乱法を用いて直接的に深さ方向In組成分布を観測することにより、評価を行った。その結果、875℃で熱処理を行うことにより、InGaN極薄膜が分解することが分かった。 GaNキャップ層を堆積することにより、InGaN極薄膜の分解は抑制されたが、InGaN層厚の増加と同時に、GaNキャップ層厚の減少が確認された。 これはGaNキャップ層へのIn原子の拡散が生じたことを示唆しており、これよりIn原子のGaN中拡散係数はおおよそ3.8×10{sup}(-18)cm{sup}2 /sと見積もられた。