WCDMA端末用Si／GaAs混載電力増幅器モジュール

摘要

WCDMA端末用電力増幅器モジュール（PAM）の低コスト化を図るため、Si／GaAs混載構造を用いてシングルバンド（SB）PAM（バンド8対応）とマルチバンド（MB）PAM（バンド1，2，5，8対応）を試作した。これらのPAMは、低中出力での効率維持のため、高出力モード（HPM）と低出力モード（LPM）の2つの出力モードからなる。CMOSチップには、バイアス／制御回路、HPMの最終段を除くRF増幅段及びRF経路切替スイッチを、HBTチップには，HPMの最終増幅段とそのバイアス回路のみを集積化した。また、MB PAMのバンド切替スイッチ用にHEMTを採用した。試作したSi／GaAs混載PAMの特性を電源電圧3.4VのもとWCDMA変調信号（3GPP R99）を用いて評価した。SBPAM（880-915MHz）において、HPM（出力28.5dBm）で効率44％、LPM（出力17dBm）で効率20％の優れた特性を良好なACLR（＜-39dBc）と共に達成した。同様にMB PAMの各バンド（824-915MHz，1850-1980MHz）においても、良好な-37dBc以下のACLRを保ちながらHPMの効率35～40％、LPMの効率14～15％を実現した。