低温分子線エピタキシヤル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究

摘要

これまでに低温分子線エビタキシヤル法により作製したEr添加GaAs(GaAs:Er)は1.5μm付近で発光強度が増大することをフォトルミネセンス(photoluminescence:PL)法により見いだしてきた。 今回は低温(330℃)で成長したGaAs:Erを活性層とし、AlGaAs/GaAs:Er/AIGaAs DH構造を作製することでさらなる発光強度の増大を観測し、さらに電流注入により室温でGaAs:Erからの発光を得た。