GaAs基板上InGaAsメタモルフィツクHEMT作製と特性のIn組成依存性

摘要

GaAs基板上のメタモルフィツクInGaAsデバイスは，InP基板上のInGaAsデバイスの代替として－のみならず，In組成をデバイス設計パラメータとして自由に選べるという点で重要である．我々は，GaAs基板上InGaAsチャネルメタモルフィツクHEMTを作製し，その特性のIn組成依存性を調べた．その結果，以下のことが示された．(1)In 組成とともに増加する電子移動度は，EEE谷の有効質量の減少で説明される．(2)高周波特性の遅延時間解析から得られた電子飽和速度は，移動度同様In組成とともに増加するが，この増加においては，L谷とⅩ谷における電子密度減少の効果が大きいと考えられる．(3)以上の電子輸送特性に関しては，高密度の結晶欠陥（貫通転位と積層欠陥）の影響は見られない．(4)衝突イオン化現象を特徴付与ナる電界強度は，In組成の増加とともに減少する．(5)衝突イオン化によって生成されたゲート正孔電流と，これによって定義されたオン耐圧は，再結合中心である結晶欠陥の影響を受けていると考えられる．