モンテカルロ法による超高速イメージセンサの解析

摘要

裏面照射型CCDを用いた超高速撮像素子を想定した基礎的なシミュレーション解析を行った。光電変換層で生成した光電子がコレクションゲート部に到達するまで要する走行時間のばらつきが、撮像速度限界を決定する根源的な因子と考えられる。モンテカルロシミュレーションを用いた統計解析を行ったところ、電子到達時間のばらつきはデバイスへの印加電界と走行層の厚みに依存し、さらに電界依存性については基礎的な輸送特性量、すなわちドリフト速度と電子拡散係数に関連していることが分かった。