10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作

摘要

1.3μm帯AlGaInAs BH構造DFBレーザにおいて、歪補償MQW構造の最適化を行った。 その結果、100℃の高温においても変調電流振幅25.8m Ap－p、バイアス電流44mAの低駆動電流で10Gb/s直接変調を実現した。 更に、5000時間を越える光出力一定試験から10万時間の信頼性を得た。