rf-MBE法によるSi基板上立方晶GaN成長法の改良

摘要

同志社大学ハイテクリサーチセンター「ナノハイブリッド構造応用技術の研究」プロジェクトの4年目の成果のまとめとして理工学研究所との合同シンポジウムの開催になった．本プロジェクトでの我々の分担はナノ構造作製の基本技術に超高真空結晶成長技術である分子線エピタキシャル成長(molecular beam epitaxial growth: MBE)を用いた応用技術の開発を目的としている．半導体デバイスで最も利用されているSi半導体と環境に優しいIII族窒化物化合物半導体のハイブリッド応用技術の研究としてMBE法による立方晶系半導体成長法の開発に取り組んでいる．