AlGaN／GaN HEMTの高耐圧·大電流化に関する検討

摘要

本研究では、パワー回路への応用を目的として開発したアンペア級のAlGaN／GaN HEMTの高耐圧化と低損失化について検討した。大電流化を達成するため、総ゲート幅を増加したHEMTチップにおいて、ドレイン耐圧の急激な減少が観察された。統計的な解析の結果、大電流化に伴う耐圧低下がドレイン電極パターンとオーミック電極プロセスの両方に関係して生じることが明らかとなった。さらにフィールドプレート構造を導入したアンペア級MOS HEMTにおける電流コラプスの抑制効果について検討した。