首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. シリコン材料·デバイス. Silicon Devices and Materials >ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討
【24h】

ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討

机译:ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
       

摘要

超低消費電力単電子論理回路の実現を目指し、独自のヘキサゴナルBDD量子論理回路を実装する単電子節点デバイスについて検討を行った。 Y字型のGaAsエッチングナノ細線構造をナノサイズのショットキーラップゲートで制御する構造を用い、2つの量子ドットを利用したブランチスイッチ型と単一の量子ドットを有するノードスイッチ型の2つのタイプの素子を設計·試作·評価した。得られた結果に基づき、集積度、プロセス、消費電力等の観点からヘキサゴナルBDD回路に適したデバイス構造について議論する。
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号