容量DLTS法によるAlGaN中のディープレベルの評価

摘要

GaN系半導体材料は次世代高性能電子デバイスへの応用が期待されており，結晶性がデバイス特性に与える影響について研究が盛んに行われている．しかし，ヘテロ構造作成に不可欠なAlGaNについては結晶性に関する一つの指標であるディープレベルに関する報告例がない．本報告では，HVPE法によりサファイヤ上に成長されたAl{sub}xGa{sub}(1-x)N (; x＝0.09および0.17)を用いて容量DLTS法により評価したAlGaN中のディープレベルについてGaN中のディープレベル（文献）と比較した結果を報告する．検討の結果，AlGaN中には3種の代表的ディープレベルが存在し，それらの電気的特性はAl組成変化によって徐々に変化することを始めて見出した．