AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価

摘要

上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300℃までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇に伴う飽和ドレイン電流の低下率は、チャネル層のAlGaNのAl組成が高くなるほど小さくなった。Al_(0.26)Ga_(0.74)NチャネルHEMTの温度依存性は、主に実効チャネル電子速度に支配されていることが明らかとなった。これらの結果は、高温下で動作するデバイスとして、AlN基板上AlGaNチャネルHEMTが有望であることを示している。