透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の特性評価

摘要

透明ショットキー電極を有するGaN系紫外線受光素子の受光感度の改善とリーク電流の低減を図るために、透明電極上へのLaF{sub}3反射防止膜のコーティングとショットキー電極のアニール処理を行い、シンクロトロン放射光を用いた受光特性と電気的特性について評価した。LaF{sub}3反射防止膜のコーティングにより、透明電極と反射防止膜の界面での反射率が抑制され、177-357nmで受光感度が約2倍増加することが明らかになった。 また、Au 電極のアニール処理によりリーク電流が1～2桁減少し、素子のショットキー性が向上した。