基板電源層構成のLSI同時スイッチングノイズ(SSN)とEMIへ及ぼす影響

摘要

プリント基板の電源層構成が、基本構成となるGV構成（G：グランド，V：電源）と、電源プレーンを上下対称グランドプレーンで挟んだGVG構成、他にGGV構成、GGVG構成の4種類の電源層構成の基板を準備し、SSNとEMIに及ぼす影響について考察した。 その結果、SSNには殆ど影響しないことが分り、EMIではGVG構成及びGGVG構成が大きな低減効果があることが分かった。また電磁界解析から、GV構成とGVG構成の電源系Sパラメータ(S11, S21)が同一特性となる基板であっても、GVG構成は電源プレーンと上下のグランドプレーン間の放射電界は逆位相であるため、相殺作用により大きなEMI低減効果が生じることが明らかになった。