オンチップ集積化マイクロ磁界プローブの開発

摘要

電磁障害(EMI: Electromagnetic Interference)の問題を解決するために，高周波·高空間分解能の磁界プローブの開発が強く望まれている．Si多層配線基板を用いてコイルと集積化増幅回路を組み合わせることで，コイルを小形化しても十分な出力を得られるため，空間分解能を向上させることができると考えられる．しかしメタル配線は非常に薄いため抵抗が大きい，磁束が透過する，などの問題が予想された．そこで，汎用チップ試作サービスを利用し，シールディドループコイル型集積化マイクロ磁界プローブを開発，特性を評価した結果，ほぼ満足できる性能を確認した．集積化増幅回路と組み合わせることで，数μmオーダーの高空間分解能磁界プローブ開発の見通しがついた．