シングルダマシンCu配線におけるエレクトロマイグレーション誘起ボイドの発生と成長

摘要

シングルダマシン構造配線におけるエレクトロマイグレーションの基礎特性について報告する。抵抗変化測定に基づく測定においては、明確な抵抗変化のIncubation timeが観察された。 観測されたエレクトロマイグレーション発生のしきい条件、配線長と電流密度の積は5900A/cmである。 観測されたCu/SiN界面拡散の活性化エネルギーは0.89土0.07eVである。 この活性化エネルギーは、皮膜されていないCu表面拡散の活性化エネルギーと一致する。 ただし、SiN皮膜によりドリフト速度は減少する。