高温·高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs

摘要

窒化物半導体HBTは，閾値の均一性がよい·大電流密度で動作可能という特性だけでなく，材料的な特長から，高温や高出力動作が可能と予測され，有望なデバイスである．我々は，低抵抗n-GaNベース層を有するPnp AlGaN/GaN HBTを作製し，世界で初めてエミッタ接地での動作に成功している．ここでは，2.4MV/cmの絶縁破壊電界，摂氏550度以上の高温動作の実現やGaN基板上に作製したHBTの高出力動作に関して述べるだけでなく，高温におけるHBTの電流輸送機構に関しても報告する．