ITOショットキ電極を用いたAlGaN/GaN HEMTのリーク電流低減

摘要

AlGaN/GaN HEMTはキャリア密度·移動度が大きく絶縁破壊耐圧が高いという優れた特徴をもつため、低オン抵抗·高耐圧特性を実現する次世代パワースイッチングデバイスへの応用が期待されている。しかしながら、現在広く用いられているNi/Auのショットキ電極はゲートリーク電流が大きいという問題がある。 そのため、信頼性の低下や消費電力の増大が懸念される。今回、我々はショットキ接合界面にITOを用いることでリーク電流を大幅にし、温度依存性を測定してそのメカニズムを考察した。 次にITO/Ni/Au電極を用いたHEMTを作製してNi/Auとの比較を行なった。