AbstractDie quantitative Analyse der Zeit‐, Potential‐und Leitfähigkeitsabhängigkeit des Lochwachstums bei Aluminium ergab, daß die Lochwachstumskinetik durch den ohmschen Spannungsabfall im Lochinnern gesteuert wird. Das bei der Lochwachstumskinetik gefundene t1/2‐Gesetz und die niedrige Aktivierungsenergie von 3.14 kcal/mol sind damit direkt erklärbar.Die Analyse führte zudem zur sehr wichtigen Erkenntnis, daß als Stabilitätskriterium nur eine primäre Veränderung der Eigenschaften der Lochoberfläche durch die Adsorption der CI ‐Ionen in Frage kommt, da eine hohe Aufkonzentration durch die Rührwirkung der H2‐Blasen verhindert wird, und da betragsmässig der innere und äußere Spannungsabfall nicht größer sein kann als die Differenz zwischen dem potentiostatisch vorgegebenen Potential und dem Lochwachstumspotential.Weitere Aussagen beziehen sich auf die Reaktionsordnung bezüglich der Cl−‐Ionen, auf die kleinste, noch Lochfraß erzeugende Cl−‐Konzentration und auf den Einfluss des p
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