直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究

摘要

本研究では，縦積層型シリコンナノワイヤトランジスタのキャリア輸送特性の調査を行った．32nm までスケーリングされたゲート長を有するデバイスにおいてもバリスティック伝導率が低く，キャリアはチャネル内で強い散乱を受けている．この主たる原因は犠牲SiGe層の選択的プラズマエッチングによる界面ラフネス増加である．水素アニールによってこの劣化した界面を回復させる可能であるが，一方でクーロン散乱を増加させることが低温測定から分かった．