低転位AIGaNを用いた高効率紫外発光ダイオード及び紫外レーザダイオード

摘要

短波長紫外発光素子を実現するためには低転位AlGaNが必須である。 本論文では、周期溝構造を用いることで低転位化し、低温AlN中間層を挿入して歪を低減した高品質AlGaN上にGaN/AlGaN(MQW)活性層を有するUV-LDを作製した。 動作電圧17V、光出力-電流特性において電流値約500 mAという閾値電流であった。