微小Alトンネル接合列内での接合特性の均一性向上を目指したSiO援用Dolan法の提案と評価

摘要

2層レジストで形成されるレジスト架橋構造と斜め蒸着を用いるDolan法は，微小トンネル接合の作製方法として広く利用されている。この方法では数十nmサイズのトンネル接合が実現されているが，レジスト架橋形状のばらつきが接合サイズのばらつきに及ぼす影響が，サイズを小さくするにつれ相対的に大きくなる。この影響を低減する方法として，我々はSiO援用Dolan法を提案している。この方法では，従来Dolan法よりも均一な接合サイズを実現できると期待される。本研究では，まずトンネル接合一次元配列の電気伝導特性から均一性を評価する方法について提案する。次に，従来Dolan法とSiO援用Dolan法により微小Alトンネル接合一次元配列を作製し，それらの電気的特性を比較することで，SiO援用Dolan法による均一性向上を示す。