F_2リソグラフィー技術の課題と展望

摘要

半導体集積回路の高集積化のキー技術である光リソグラフィー技術は，量産でKrFエキシマレーザリソグラフィー（248nm）が使用され，数年後にはArFエキシマレーザリソグラフィー（193nm）も量産に適用されてくる．したがって，ポストArFリソグラフィー技術が議論されてきており，現在のところF_2レーザリソグラフィー（157nm）が最有力候補とされている．本論文では，F_2レーザリソグラフィー技術開発における現状及び課題について解説する．